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产品简介:
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ON Semiconductor的NVMFD5485NLWFT3G是一款MOSFET阵列器件,属于功率MOSFET产品系列,采用双N沟道配置,专为高效率、低导通电阻的应用设计。该器件广泛应用于需要高效电源管理和负载开关功能的场景。 典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电源管理单元,用于电池供电系统的负载切换和电源路径控制;在DC-DC转换器中作为同步整流开关,提升转换效率;在电机驱动电路中用于小型直流电机或步进电机的控制;还可用于热插拔电路和过流保护模块,提供快速响应和可靠保护。 该器件具备低栅极电荷和低导通电阻(RDS(on)),有助于减少开关损耗和传导损耗,提高系统能效。其封装紧凑(如PowerLFET™),适合空间受限的高密度PCB设计,同时支持表面贴装工艺,便于自动化生产。 此外,NVMFD5485NLWFT3G符合AEC-Q101车规认证,因此也适用于汽车电子系统,如车身控制模块、车载信息娱乐系统电源管理、LED照明驱动等对可靠性要求较高的环境。 综上,该MOSFET阵列适用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域,特别适合追求高效率、小尺寸和高可靠性的电源开关与功率控制应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 20A DFN8 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVMFD5485NLWFT3G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 44 毫欧 @ 15A, 10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 2.9W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.3A |