Datasheet下载- 型号： MR4A08BCYS35R
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR4A08BCYS35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR4A08BCYS35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR4A08BCYS35R封装/规格：存储器， MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 35ns 44-TSOP2。您可以下载MR4A08BCYS35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR4A08BCYS35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MR4A08BCYS35R 是 Everspin Technologies 推出的一款 8Mb（1Mb × 8）工业级自旋转移矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM），采用48引脚TSOP2封装，工作电压3.3V，读写速度达35ns（-35表示访问时间），支持无限次读写、非易失性、抗辐射、宽温（–40°C 至 +85°C）及高可靠性。 其典型应用场景包括： ✅ 工业自动化与PLC系统：在断电瞬间实时保存运行状态、参数和I/O数据，替代电池备份SRAM或EEPROM，消除电池更换与失效风险； ✅ 网络通信设备：用于路由器、交换机的控制平面缓存或配置寄存器，确保上电即用、零恢复延迟； ✅ 航空与国防电子：凭借抗单粒子翻转（SEU）、耐高辐射及宽温特性，适用于飞行控制、雷达和卫星载荷中的关键数据存储； ✅ 医疗设备：在MRI、CT等高电磁干扰环境中，提供稳定、无磨损的数据暂存（如校准参数、日志记录）； ✅ 智能电表与能源管理系统：在电网波动或断电时可靠记录用电数据，满足AMI（高级计量架构）对数据完整性的严苛要求。 该器件不适用于大容量数据存储（如文件存储），而是聚焦于高性能、高可靠、需即时非易失性的关键元数据/状态存储场景，是传统NVSRAM、FRAM或EEPROM的理想升级替代方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 16MBIT 35NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MR4A08BCYS35R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 （10.2x18.4） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 16M（2M x 8） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |
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