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Datasheet下载- 型号： MMBF4416LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF4416LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF4416LT1价格参考。ON SemiconductorMMBF4416LT1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 JFET SOT-23-3（TO-236）。您可以下载MMBF4416LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBF4416LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的MMBF4416LT1是一款N沟道增强型MOSFET，属于射频（RF）场效应晶体管，常用于高频小信号放大和开关应用。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装，适合空间受限的便携式电子设备。 MMBF4416LT1的主要应用场景包括： 1. 射频放大器：适用于VHF/UHF频段的小信号放大，常见于无线通信设备、对讲机、射频接收模块等。 2. 射频开关：在低功率射频路径中实现信号通断控制，如手机、无线传感器网络、物联网（IoT）设备中的天线切换或信号路由。 3. 高频振荡电路：用于本地振荡器或射频调制解调电路中，提供稳定的高频信号生成。 4. 消费类电子产品：广泛应用于蓝牙模块、Wi-Fi模块、遥控装置及便携式音频设备中的射频前端。 该器件具有低栅极电荷、快速开关响应和良好的热稳定性，适合电池供电设备。其最大漏源电压为40V，连续漏极电流可达170mA，具备较好的功率处理能力与效率。由于其优良的高频特性与小型封装，MMBF4416LT1在紧凑型高频电路设计中具有较高性价比和可靠性，是中小功率射频系统中的常用选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET SS N-CHAN VHF 30V SOT23 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBF4416LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBF4416LT1OSCT |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 30V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 15mA |
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