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产品简介:
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FDME1023PZT 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双N沟道增强型MOSFET阵列,常用于需要高效开关和功率管理的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源开关和负载管理,支持高效能电源系统设计。 2. 电机驱动:可用于小型电机或步进电机的控制,实现快速开关和良好热稳定性。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、移动电源等,用于电池充放电管理和电源路径控制。 4. 负载开关与热插拔控制:在服务器、工业控制系统中作为高侧或低侧开关,提供过流和过温保护。 5. LED背光与照明控制:适用于LED驱动电路中的开关元件,实现亮度调节与节能控制。 该器件采用小型封装,具备低导通电阻、高耐压和良好热性能,适合空间受限且对效率要求较高的应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFETMOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.3 A |
Id-连续漏极电流 | - 2.3 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDME1023PZTPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDME1023PZT |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
Pd-功率耗散 | 1.3 W |
Qg-GateCharge | 5.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 5.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 95 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 95 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.6 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.6 V |
上升时间 | 4.8 ns |
下降时间 | 16 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 405pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 142 毫欧 @ 2.3A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-MicroFET(1.6x1.6) |
其它名称 | FDME1023PZTDKR |
典型关闭延迟时间 | 33 ns |
功率-最大值 | 600mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 25.200 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | MicroFET-6 1.6x1.6 Thin |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 7 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A |
系列 | FDME1023PZT |
配置 | Dual |