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  • 型号: SI4916DY-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI4916DY-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4916DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4916DY-T1-E3价格参考。VishaySI4916DY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 通道(半桥) Mosfet 阵列 30V 10A,10.5A 3.3W,3.5W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4916DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4916DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4916DY-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于各种电子设备中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 该器件常用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理电路中。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功耗,提高效率。
   - 在电池供电设备中,可用于电池保护、充电控制和电压调节。

 2. 电机驱动
   - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制。通过切换 MOSFET 的导通状态,实现对电机速度和方向的精确控制。
   - 在消费电子产品(如玩具、风扇等)中,提供高效的电机驱动解决方案。

 3. 信号切换
   - 在音频设备、通信设备和其他需要信号切换的应用中,SI4916DY-T1-E3 可用作模拟开关或数字信号切换器。
   - 其快速开关特性和低电容特性使其适合高频信号处理。

 4. 便携式设备
   - 常见于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中,用于电源路径管理、USB 电源切换和保护功能。
   - 在 USB-C 和 PD(Power Delivery)应用中,可作为功率路径控制器。

 5. 过流保护
   - 该 MOSFET 阵列可用于设计过流保护电路,通过检测电流并限制异常电流流动,保护下游电路免受损坏。
   - 在多路输出系统中,每个通道可以独立控制,实现更灵活的保护方案。

 6. 固态继电器
   - 替代传统机械继电器,作为固态继电器使用,具有更高的可靠性和更长的使用寿命。
   - 适用于工业控制、家电和照明系统的开关应用。

 7. LED 驱动
   - 在 LED 照明系统中,用于恒流驱动或调光控制,确保 LED 的稳定工作。
   - 其低导通电阻有助于减少发热,提高系统效率。

 总结
SI4916DY-T1-E3 凭借其出色的电气性能和紧凑的封装(如 TSOP-6),非常适合需要高效、低损耗和小型化设计的应用场景。它在消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域都有广泛应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 通道(半桥)

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

SI4916DY-T1-E3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

LITTLE FOOT®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

18 毫欧 @ 10A,10V

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4916DY-T1-E3TR
SI4916DYT1E3

功率-最大值

3.3W,3.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A,10.5A

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