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SI4916DY-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4916DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4916DY-T1-E3价格参考。VishaySI4916DY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 通道(半桥) Mosfet 阵列 30V 10A,10.5A 3.3W,3.5W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4916DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4916DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4916DY-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于各种电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 该器件常用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理电路中。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功耗,提高效率。 - 在电池供电设备中,可用于电池保护、充电控制和电压调节。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制。通过切换 MOSFET 的导通状态,实现对电机速度和方向的精确控制。 - 在消费电子产品(如玩具、风扇等)中,提供高效的电机驱动解决方案。 3. 信号切换 - 在音频设备、通信设备和其他需要信号切换的应用中,SI4916DY-T1-E3 可用作模拟开关或数字信号切换器。 - 其快速开关特性和低电容特性使其适合高频信号处理。 4. 便携式设备 - 常见于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中,用于电源路径管理、USB 电源切换和保护功能。 - 在 USB-C 和 PD(Power Delivery)应用中,可作为功率路径控制器。 5. 过流保护 - 该 MOSFET 阵列可用于设计过流保护电路,通过检测电流并限制异常电流流动,保护下游电路免受损坏。 - 在多路输出系统中,每个通道可以独立控制,实现更灵活的保护方案。 6. 固态继电器 - 替代传统机械继电器,作为固态继电器使用,具有更高的可靠性和更长的使用寿命。 - 适用于工业控制、家电和照明系统的开关应用。 7. LED 驱动 - 在 LED 照明系统中,用于恒流驱动或调光控制,确保 LED 的稳定工作。 - 其低导通电阻有助于减少发热,提高系统效率。 总结 SI4916DY-T1-E3 凭借其出色的电气性能和紧凑的封装(如 TSOP-6),非常适合需要高效、低损耗和小型化设计的应用场景。它在消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域都有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SI4916DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | LITTLE FOOT® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 10A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4916DY-T1-E3TR |
| 功率-最大值 | 3.3W,3.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A,10.5A |