ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > FDG6303N_D87Z
Datasheet下载- 型号： FDG6303N_D87Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG6303N_D87Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG6303N_D87Z价格参考。Fairchild SemiconductorFDG6303N_D87Z封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 25V 500mA 300mW 表面贴装 SC-70-6。您可以下载FDG6303N_D87Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDG6303N_D87Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDG6303N_D87Z 是安森美（ON Semiconductor）生产的一款双P沟道MOSFET阵列，采用小型化封装（如DFN），适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于需要低电压、低功耗控制的场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理开关：用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现高效节能。 2. DC-DC转换电路：在同步整流或电压调节模块中作为开关元件，提升转换效率。 3. 信号切换与电平转换：适用于I²C、GPIO等数字信号线路中的电平转换电路，支持不同电压域之间的通信接口匹配。 4. 电机驱动与LED驱动：在微型电机控制或背光/指示灯驱动中提供可靠开关功能。 5. 便携式医疗设备与物联网终端：因其小尺寸和低静态功耗，适合对体积和能效要求高的智能传感器和无线模块。 FDG6303N_D87Z具有低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压和高开关速度，可在1.8V至5V宽电压范围内稳定工作，支持逻辑电平直接驱动，简化设计。其封装热性能良好，适合高密度PCB布局。 综上，该型号广泛用于消费电子、工业控制及便携式设备中的功率开关与信号控制环节，是实现小型化与高能效的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 25V SC70-6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDG6303N_D87Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 500mA |
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