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BSS138BKS,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS138BKS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS138BKS,115价格参考¥0.50-¥0.50。NXP SemiconductorsBSS138BKS,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 320mA 445mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载BSS138BKS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS138BKS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BSS138BKS,115 是一款N沟道MOSFET阵列器件,属于小信号MOSFET,常用于低电压、低功耗的开关和信号切换应用。该器件采用SOT-23封装,集成两个独立的MOSFET,适合空间受限的便携式电子设备。 典型应用场景包括: 1. 电平转换:广泛用于不同电压逻辑系统之间的信号电平转换,如I²C、SPI等数字通信接口中,连接3.3V与5V或更低电压的微控制器、传感器和外设之间。 2. 电源管理开关:在电池供电设备中作为负载开关,控制电源通断,降低待机功耗,提高能效。 3. 信号路由与多路复用:用于模拟或数字信号的选择与切换,适用于便携式设备中的音频、数据通道切换。 4. 驱动小型负载:可驱动LED、继电器或其他低电流负载,适用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。 5. 保护电路:在输入/输出端口用于防止反向电流或过压冲击,提升系统可靠性。 BSS138BKS,115具有低导通电阻(Rds(on))、快速开关速度和良好的热稳定性,适合高频操作环境。其高可靠性和紧凑封装使其成为现代电子设计中理想的开关元件,尤其适用于高密度PCB布局和对功耗敏感的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOPMOSFET 60 V, 320 mA dual N-ch Trench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 320 mA |
| Id-连续漏极电流 | 320 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSS138BKS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS138BKS,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.28 W |
| Pd-功率耗散 | 280 mW |
| Qg-GateCharge | 0.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 56pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.6 欧姆 @ 320mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-8392-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 445mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 320mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |