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  • 型号: BSS138BKS,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BSS138BKS,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSS138BKS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS138BKS,115价格参考¥0.50-¥0.50。NXP SemiconductorsBSS138BKS,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 320mA 445mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载BSS138BKS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS138BKS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 BSS138BKS,115 是一款N沟道MOSFET阵列器件,属于小信号MOSFET,常用于低电压、低功耗的开关和信号切换应用。该器件采用SOT-23封装,集成两个独立的MOSFET,适合空间受限的便携式电子设备。

典型应用场景包括:  
1. 电平转换:广泛用于不同电压逻辑系统之间的信号电平转换,如I²C、SPI等数字通信接口中,连接3.3V与5V或更低电压的微控制器、传感器和外设之间。  
2. 电源管理开关:在电池供电设备中作为负载开关,控制电源通断,降低待机功耗,提高能效。  
3. 信号路由与多路复用:用于模拟或数字信号的选择与切换,适用于便携式设备中的音频、数据通道切换。  
4. 驱动小型负载:可驱动LED、继电器或其他低电流负载,适用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。  
5. 保护电路:在输入/输出端口用于防止反向电流或过压冲击,提升系统可靠性。

BSS138BKS,115具有低导通电阻(Rds(on))、快速开关速度和良好的热稳定性,适合高频操作环境。其高可靠性和紧凑封装使其成为现代电子设计中理想的开关元件,尤其适用于高密度PCB布局和对功耗敏感的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOPMOSFET 60 V, 320 mA dual N-ch Trench MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

320 mA

Id-连续漏极电流

320 mA

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSS138BKS,115-

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产品型号

BSS138BKS,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.28 W

Pd-功率耗散

280 mW

Qg-GateCharge

0.7 nC

Qg-栅极电荷

0.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.6 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.6 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

5 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.6V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

56pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.7nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.6 欧姆 @ 320mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-8392-6

典型关闭延迟时间

38 ns

功率-最大值

445mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

0.7 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

320mA

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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