Datasheet下载- 型号： SI4972DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4972DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4972DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4972DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4972DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4972DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4972DY-T1-GE3 是一款双N沟道 MOSFET 阵列器件，主要应用于需要高效功率开关的场合。该器件采用小型封装，适合高密度电路设计，具有较低的导通电阻和良好的热性能。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电源开关及负载管理，提高电源转换效率。 2. 马达控制：适用于小型电机驱动电路，如无人机、机器人或电动工具中的电机控制。 3. 负载开关：在便携式设备中作为高效负载开关，控制电池供电系统的电源分配。 4. LED驱动：用于LED背光或照明系统的开关控制，提供稳定电流路径。 5. 电池供电设备：广泛应用于笔记本电脑、平板、移动电源等低功耗系统中，实现高效能与节能。 6. 工业自动化：用于PLC、传感器模块及工业控制系统中的信号与功率切换。 该器件因其集成度高、封装小、性能稳定，适合对空间与效率有要求的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4972DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1080pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.5 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 3.1W，2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.8A，7.2A |
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