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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8902EDB-T2-E1由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8902EDB-T2-E1价格参考。VishaySI8902EDB-T2-E1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI8902EDB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8902EDB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI8902EDB-T2-E1 是一款集成式隔离式栅极驱动器,常用于功率电子系统中,主要应用于以下场景: 1. 工业电机驱动:适用于交流伺服电机、步进电机和变频器等系统,提供高可靠性的隔离驱动,确保功率MOSFET或IGBT的安全高效运行。 2. 可再生能源系统:如太阳能逆变器和风能转换系统,SI8902EDB-T2-E1 提供高绝缘耐压能力,确保高压环境下的信号传输安全,提高系统稳定性和效率。 3. 电动汽车与充电桩:用于车载充电器、DC-DC转换器及充电桩的功率开关控制,具备高抗噪能力和电气隔离,提升系统安全性与可靠性。 4. 电源管理系统(UPS、储能系统):在不间断电源和储能逆变器中,用于驱动功率开关器件,确保快速响应和高效率的能量转换。 5. 家电与白色家电:如变频空调、洗衣机等,用于驱动内部功率模块,提升能效比和系统控制精度。 该器件采用SiO₂隔离技术,具备高共模瞬态抗扰度(CMTI)和低传播延迟,适合高温、高噪声的工业环境,是一款高性能、高集成度的隔离驱动解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 N 沟道(双)共漏 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI8902EDB-T2-E1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 980µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
供应商器件封装 | 6-Micro Foot™ |
其它名称 | SI8902EDB-T2-E1CT |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-MICRO FOOT®CSP |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.9A |