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  • 型号: SI8902EDB-T2-E1
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI8902EDB-T2-E1由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8902EDB-T2-E1价格参考。VishaySI8902EDB-T2-E1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI8902EDB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8902EDB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI8902EDB-T2-E1 是一款集成式隔离式栅极驱动器,常用于功率电子系统中,主要应用于以下场景:

1. 工业电机驱动:适用于交流伺服电机、步进电机和变频器等系统,提供高可靠性的隔离驱动,确保功率MOSFET或IGBT的安全高效运行。

2. 可再生能源系统:如太阳能逆变器和风能转换系统,SI8902EDB-T2-E1 提供高绝缘耐压能力,确保高压环境下的信号传输安全,提高系统稳定性和效率。

3. 电动汽车与充电桩:用于车载充电器、DC-DC转换器及充电桩的功率开关控制,具备高抗噪能力和电气隔离,提升系统安全性与可靠性。

4. 电源管理系统(UPS、储能系统):在不间断电源和储能逆变器中,用于驱动功率开关器件,确保快速响应和高效率的能量转换。

5. 家电与白色家电:如变频空调、洗衣机等,用于驱动内部功率模块,提升能效比和系统控制精度。

该器件采用SiO₂隔离技术,具备高共模瞬态抗扰度(CMTI)和低传播延迟,适合高温、高噪声的工业环境,是一款高性能、高集成度的隔离驱动解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 N 沟道(双)共漏

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SI8902EDB-T2-E1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 980µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

-

供应商器件封装

6-Micro Foot™

其它名称

SI8902EDB-T2-E1CT

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-MICRO FOOT®CSP

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.9A

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