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  • 型号: NTJD4001NT2G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD4001NT2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD4001NT2G价格参考。ON SemiconductorNTJD4001NT2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTJD4001NT2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJD4001NT2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 NTJD4001NT2G 的 MOSFET 阵列,属于安森美半导体(ON Semiconductor)的产品,主要应用于需要高效电源管理和小型化设计的电子设备中。其具体应用场景包括:

1. 电源管理电路:适用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统,因其低导通电阻和高效率特性,有助于提升能效并减少发热。

2. 电池供电设备:常见于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中,用于控制电池充放电路径或作为高侧/低侧开关。

3. 电机驱动与负载控制:在小型电机、继电器或LED阵列控制中用作功率开关,支持快速开关动作和良好热稳定性。

4. 工业自动化与通信设备:用于接口电路、信号切换及保护电路,提供可靠的电压隔离和电流控制能力。

该器件采用双P沟道MOSFET阵列设计,具备小型封装优势,适合空间受限的设计需求,同时具备良好的热性能和耐用性,广泛适用于消费类电子与工业领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-363

产品分类

FET - 阵列

FET功能

标准

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NTJD4001NT2G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

33pF @ 5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.3nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5 欧姆 @ 10mA,4V

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

功率-最大值

272mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

250mA

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