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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD4001NT2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD4001NT2G价格参考。ON SemiconductorNTJD4001NT2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTJD4001NT2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJD4001NT2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NTJD4001NT2G 的 MOSFET 阵列,属于安森美半导体(ON Semiconductor)的产品,主要应用于需要高效电源管理和小型化设计的电子设备中。其具体应用场景包括: 1. 电源管理电路:适用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统,因其低导通电阻和高效率特性,有助于提升能效并减少发热。 2. 电池供电设备:常见于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中,用于控制电池充放电路径或作为高侧/低侧开关。 3. 电机驱动与负载控制:在小型电机、继电器或LED阵列控制中用作功率开关,支持快速开关动作和良好热稳定性。 4. 工业自动化与通信设备:用于接口电路、信号切换及保护电路,提供可靠的电压隔离和电流控制能力。 该器件采用双P沟道MOSFET阵列设计,具备小型封装优势,适合空间受限的设计需求,同时具备良好的热性能和耐用性,广泛适用于消费类电子与工业领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-363 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTJD4001NT2G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 33pF @ 5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.3nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 10mA,4V |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
功率-最大值 | 272mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 250mA |