Datasheet下载- 型号： SI4923DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4923DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4923DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4923DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4923DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4923DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4923DY-T1-GE3 是一款 MOSFET 阵列器件，主要应用于需要高效功率开关的场合。该器件内部集成了多个 MOSFET，通常用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理系统中。 SI4923DY-T1-GE3 由于其高集成度和低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效降低导通损耗，提高系统效率，因此广泛用于便携式电子设备、笔记本电脑、服务器电源、电信设备及汽车电子系统中。其封装形式（如 TDFN）适合高密度 PCB 布局，有助于减小整体方案尺寸。 此外，该器件也适用于电池供电系统中的功率管理，如智能手机和平板电脑中的电源切换与节能控制。在工业控制领域，SI4923DY-T1-GE3 可用于驱动继电器、LED 照明或小型电机等负载。 总之，SI4923DY-T1-GE3 的应用场景集中在高效、小型化、集成化要求较高的功率电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4923DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 8.3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A |
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