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产品简介:
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NTLJD3119CTAG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的晶体管阵列,属于 FET/MOSFET 类别。该型号是一款双 NMOS 晶体管阵列,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景: 1. 信号切换 NTLJD3119CTAG 可用于音频、视频或数据信号的切换。例如,在多路复用器或多路选择器中,它可以快速切换不同的输入信号到输出端。 2. 负载驱动 该器件适合驱动小型负载,如 LED、继电器线圈或小型电机。它的低导通电阻特性能够减少功率损耗,提高效率。 3. 电源管理 在便携式设备或低功耗系统中,NTLJD3119CTAG 可用于电池供电电路的开关控制,实现高效的电源管理。 4. 逻辑电平转换 由于其低导通电压和快速开关性能,该器件可以用于不同逻辑电平之间的信号转换,例如将低电压信号提升到高电压信号。 5. 保护电路 在过流保护或短路保护电路中,NTLJD3119CTAG 可作为开关元件,及时切断异常电流路径,保护后端电路。 6. 通信设备 该器件适用于通信设备中的信号处理模块,例如射频前端的开关控制或基带信号的路由选择。 7. 消费电子产品 在智能手机、平板电脑或其他消费类电子产品中,NTLJD3119CTAG 可用于外围设备的开关控制,如摄像头模块、传感器接口等。 8. 工业控制 在工业自动化领域,该器件可用于控制小型执行器、传感器接口或信号隔离电路。 总结来说,NTLJD3119CTAG 的高性能和紧凑封装使其成为需要高效开关和低功耗应用的理想选择。它广泛应用于消费电子、通信、工业控制和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTLJD3119CTAG |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 271pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.7nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 3.8A,4.5V |
供应商器件封装 | 6-WDFN(2x2) |
其它名称 | NTLJD3119CTAGOSDKR |
功率-最大值 | 710mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A,2.3A |