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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SI4310BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4310BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4310BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4310BDY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4310BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4310BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4310BDY-T1-E3 是一款P沟道MOSFET阵列器件，采用双N沟道与单P沟道组合设计，封装小巧（如PowerPAK SO-8），适用于空间受限的高效率电源管理应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能和热稳定性，适合用于电池供电设备中的负载开关、电源控制和电平转换电路。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源管理模块，用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能与热插拔保护；在DC-DC转换电路中作为同步整流或高端开关使用；还可用于电机驱动、LED驱动及各类消费类电子产品中的信号切换与功率控制。其集成化设计有助于减少外围元件数量，提高系统可靠性并节省PCB空间。 此外，SI4310BDY-T1-E3符合RoHS环保要求，具备良好的抗静电能力，适合工业级温度范围工作，广泛应用于移动设备、通信模块、电源适配器及嵌入式系统等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4310BDY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2370pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | 14-SOICN |
| 功率-最大值 | 1.14W，1.47W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A，9.8A |
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