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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDF2C03HDR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDF2C03HDR2G价格参考。ON SemiconductorMMDF2C03HDR2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMDF2C03HDR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMDF2C03HDR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 MMDF2C03HDR2G 的场效应晶体管(FET),由 ON Semiconductor 生产,属于MOSFET阵列类别。该器件主要应用于需要高效、低电压控制的场合。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统,因其具备低导通电阻和高效率特性。 2. 电机驱动:用于小型电机或步进电机的控制电路中,支持快速开关操作。 3. 工业自动化:作为功率开关元件,用于PLC模块、传感器接口及继电器替代方案。 4. 汽车电子:适合车载充电系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的环境。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑中的电源控制与分配。 该器件采用双MOSFET封装结构,集成度高,有助于减少PCB空间占用并提高系统稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CHAN 2A 30V 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMDF2C03HDR2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 70 毫欧 @ 3A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MMDF2C03HDR2GOSDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.1A,3A |