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IRF7910TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7910TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7910TRPBF价格参考。International RectifierIRF7910TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 12V 10A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7910TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7910TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7910TRPBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的晶体管 - FET,MOSFET - 阵列型号。该器件具有多种应用场景,以下为其主要应用领域和特点: 应用场景 1. 电源管理 IRF7910TRPBF常用于开关电源、DC-DC转换器和电压调节模块中。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于提高效率并减少功率损耗,适用于需要高效能源转换的设备。 2. 电机控制 在小型电机驱动和控制电路中,该MOSFET阵列可以作为开关元件使用。它支持快速开关和精确的电流控制,适合家用电器、电动工具和工业自动化设备中的电机驱动。 3. 负载切换 该器件适用于负载切换应用,例如USB端口保护、电池管理系统(BMS)和电子负载控制。其低导通电阻和高耐压能力使其能够在不同负载条件下稳定运行。 4. 信号放大与处理 在某些信号放大和处理电路中,IRF7910TRPBF可以用作开关或放大元件,提供稳定的性能和较低的噪声干扰。 5. 汽车电子 由于其出色的电气特性和可靠性,IRF7910TRPBF也广泛应用于汽车电子系统中,如车窗升降器、座椅调节器和雨刷控制系统等。 技术特点 - 低导通电阻(Rds(on)):降低功耗,提高系统效率。 - 高耐压能力:能够承受较高的电压波动,确保在复杂环境下的稳定性。 - 快速开关速度:减少开关损耗,适合高频应用。 - 紧凑封装:节省PCB空间,便于设计小型化产品。 综上所述,IRF7910TRPBF是一款性能优异的MOSFET阵列,适用于各种电力电子设备和控制系统,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOICMOSFET MOSFT DUAL NCh 12V 10A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7910TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7910TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 26 nC |
| Qg-栅极电荷 | 26 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 6.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1730pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 15 毫欧 @ 8A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7910TRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 15 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 栅极电荷Qg | 26 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 18 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 12 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A |
| 配置 | Single |