数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6N7002BFE(T5L,F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6N7002BFE(T5L,F价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6N7002BFE(T5L,F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSM6N7002BFE(T5L,F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM6N7002BFE(T5L,F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM6N7002BFE 是 Toshiba Semiconductor and Storage 推出的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特性,适用于多种电子设备中的功率管理与信号切换场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: SSM6N7002BFE 可用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理模块中。其低导通电阻(Rds(on))能够减少功率损耗,提高效率,适合便携式设备和电池供电系统。 2. 电机驱动: 该 MOSFET 阵列可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关控制功能,适用于家用电器、玩具和办公自动化设备。 3. 信号切换与保护: 在信号切换应用中,SSM6N7002BFE 可作为电子开关使用,实现对信号路径的快速控制。同时,它也可以用作过流保护或短路保护电路的一部分。 4. 消费类电子产品: 该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他消费类电子产品中,用于音频放大器、背光驱动和接口保护等功能。 5. 通信设备: 在通信领域,SSM6N7002BFE 可用于数据传输接口的开关控制,确保信号的可靠性和稳定性。 6. 工业控制: 该 MOSFET 阵列适用于工业自动化设备中的传感器接口、信号调理电路以及小型执行器的驱动。 总之,SSM6N7002BFE 凭借其高性能和可靠性,成为需要高效功率转换和信号控制的各类应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N7002BFE点击此处下载产品Datasheet |
产品图片 | |
产品型号 | SSM6N7002BFE(T5L,F |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 17pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.1 欧姆 @ 500mA,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24813 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | ES6(1.6x1.6) |
其它名称 | SSM6N7002BFE(T5LFCT |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA |