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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SIZ704DT-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIZ704DT-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIZ704DT-T1-GE3价格参考。VishaySIZ704DT-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIZ704DT-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIZ704DT-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIZ704DT-T1-GE3 是一款双通道N沟道MOSFET阵列，采用小型TDFN-8封装，具有低导通电阻和高功率密度，适用于空间受限的高效电源管理应用。该器件主要应用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源开关与负载管理。其低栅极电荷和快速开关特性使其适合DC-DC转换器、同步整流及电压调节模块（VRM），有助于提升能效并降低功耗。此外，SIZ704DT-T1-GE3也广泛用于热插拔电路、电机驱动以及LED背光驱动等需要高可靠性和紧凑设计的场合。由于其良好的热性能和高集成度，该MOSFET阵列在工业控制、通信设备和消费类电子产品中表现出色，特别适合对尺寸和效率要求较高的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIZ704DT-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 435pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-PowerPair™ |
| 其它名称 | SIZ704DT-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 20W，30W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-PowerPair™ |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-powerpair/2826 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A，16A |
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