Datasheet下载- 型号： SI9934BDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI9934BDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9934BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI9934BDY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI9934BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI9934BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI9934BDY-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，广泛应用于需要高效功率控制和空间紧凑设计的场景。该器件采用TDFN封装，具有低导通电阻、高频率响应和良好热性能的特点。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统中，实现高效的能量传输与分配。 2. 电机驱动：适用于小型电机或步进电机的控制电路，提供快速开关能力和良好的耐压性能。 3. 负载开关与电源分配：在服务器、通信设备及工业控制系统中，作为高效率的电子开关使用。 4. LED照明控制：用于LED背光或照明系统的调光与开关控制，支持高频PWM调光。 5. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块等对可靠性和空间布局有较高要求的应用。 SI9934BDY-T1-GE3凭借其集成化设计和优异电气性能，在提高系统效率的同时减少了PCB占用空间，适合高性能与高密度设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOICMOSFET 12V 6.4A 2.0W 35mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-连续漏极电流 | 6.4 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI9934BDY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI9934BDY-T1-GE3SI9934BDY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 6.4A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI9934BDY-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 35 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 12 V |
| 漏极连续电流 | 6.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.8A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI9934BDY-GE3 |
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