Datasheet下载- 型号： CMLDM7484 TR
- 制造商： Central Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CMLDM7484 TR由Central Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CMLDM7484 TR价格参考。Central SemiconductorCMLDM7484 TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CMLDM7484 TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CMLDM7484 TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CMLDM7484 TR是Central Semiconductor Corp生产的一款MOSFET阵列器件，主要应用于需要高效、高集成度功率管理的场合。该器件通常包含多个MOSFET晶体管集成在一个封装中，适用于电源管理、负载开关、电机驱动、DC-DC转换器以及电池供电设备等场景。 在电源管理系统中，CMLDM7484 TR可用于实现高效的电压调节和电流控制，提高系统能效并减少热量产生。在便携式电子产品（如笔记本电脑、平板电脑和智能手机）中，该器件有助于实现更紧凑的设计和更长的电池续航时间。 此外，其高集成度特性也使其适合用于空间受限的应用，如传感器模块、LED驱动电路和小型马达控制器等。由于其良好的热稳定性和电流承载能力，CMLDM7484 TR也可用于汽车电子系统中的功率控制应用，如车窗控制、照明系统和电动泵驱动等。 总的来说，该器件适用于对效率、尺寸和可靠性有较高要求的中低功率电子系统设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 450 mA |
| Id-连续漏极电流 | 450 mA |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET N AND P CHANNEL MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Central Semiconductor CMLDM7484 TR |
| 产品型号 | CMLDM7484 TR |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| Qg-GateCharge | 0.792 nC, 0.88 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.792 nC, 0.88 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商标 | Central Semiconductor |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 正向跨导-最小值 | 200 mS |
| 系列 | CMLDM7484 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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