ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MJD45H11G
Datasheet下载- 型号： MJD45H11G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD45H11G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD45H11G价格参考。ON SemiconductorMJD45H11G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 8A 90MHz 1.75W 表面贴装 DPAK。您可以下载MJD45H11G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD45H11G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD45H11G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于高电压、高电流功率晶体管。该器件采用TO-252（D-Pak）封装，具有良好的散热性能，适用于中等功率开关和放大应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中作为开关元件，支持高效率能量转换。 2. 电机驱动：在小型电机或步进电机的控制电路中，用作驱动开关，实现启停与方向控制。 3. 照明控制：适用于LED驱动电路，特别是在需要恒流控制或高频开关的场合。 4. 继电器与负载驱动：可用于驱动继电器、电磁阀等感性负载，具备较强的电流承载能力（集电极电流可达6A）。 5. 工业控制与消费电子：广泛应用于工业自动化模块、家电控制板、电源适配器等设备中。 MJD45H11G具有较高的直流电流增益和快速开关特性，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适合在较宽温度范围内工作（-55°C 至 +150°C），特别适用于对稳定性和耐久性要求较高的工业与汽车电子环境。此外，该型号为无铅产品，符合RoHS环保标准，便于现代绿色电子产品设计使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS POWER PNP 8A 80V DPAK两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD45H11G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD45H11G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 400mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 4A，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MJD45H11G-ND |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 90 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 8 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MJD45H11 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 5 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 8 A |
| 频率-跃迁 | 90MHz |
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