Datasheet下载- 型号： SI6928DQ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6928DQ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6928DQ-T1-GE3价格参考。VishaySI6928DQ-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI6928DQ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI6928DQ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI6928DQ-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET阵列，采用双通道配置，封装小巧（如SO-8），适用于空间受限的高效率电源管理设计。该器件主要应用于便携式电子设备和电池供电系统中，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和移动电源等，用于电源开关、负载切换和电池保护电路。 其典型应用场景包括热插拔控制、电源路径管理以及DC-DC转换器中的同步整流辅助功能。由于具备低导通电阻（RDS(on)）和良好的开关特性，SI6928DQ-T1-GE3能有效降低功耗，提高系统效率。此外，它也常用于各类消费类电子产品中的信号切换和电平转换电路。 该器件符合RoHS环保标准，可靠性高，适合工业级温度范围工作，因此也可用于工业控制模块、通信设备和嵌入式系统中需要高效、小型化功率开关解决方案的场合。总体而言，SI6928DQ-T1-GE3是一款高性能、高集成度的功率MOSFET阵列，适用于对尺寸和能效有较高要求的现代电子设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8-TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI6928DQ-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | SI6928DQ-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A |
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