Datasheet下载- 型号： PMCXB900UEZ
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMCXB900UEZ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMCXB900UEZ价格参考。NXP SemiconductorsPMCXB900UEZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMCXB900UEZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMCXB900UEZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMCXB900UEZ 是 NXP USA Inc. 推出的一款双通道、逻辑电平、N沟道增强型MOSFET阵列（采用DFN1006-3封装，尺寸仅1.0 mm × 0.6 mm），内置ESD保护与栅极箝位二极管，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 380 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.7 nC）和超小体积等特性。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED背光驱动、振动马达控制或SIM卡/SD卡电源开关； ✅ 负载开关（Load Switch）应用——用于低功耗微控制器（如LPC系列、i.MX RT）GPIO直接驱动的板级电源域隔离，实现快速启停与反向电流阻断； ✅ 电池供电系统的高效开关电路——在蓝牙模块、传感器节点等IoT终端中，用作电池电压路径切换或外设供电使能控制； ✅ 空间受限的信号/电源切换——替代传统SOT-23双MOSFET方案，适用于高密度PCB布局，如AR/VR眼镜主控板、微型无人机飞控模块。 该器件不适用于高功率（>500 mA持续电流）或高压（>20 V）场景，设计时需注意PCB散热及瞬态电压抑制。综上，PMCXB900UEZ 主要面向微型化、低功耗、高集成度的消费类与IoT终端，以简化设计、节省面积并提升系统可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6DFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道互补型 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PMCXB900UEZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 21.3pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 620 毫欧 @ 600mA， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN （1.1x1） |
| 功率-最大值 | 265mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-XFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 600mA，500mA |
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