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  • 型号: SI4804BDY-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI4804BDY-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4804BDY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4804BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4804BDY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 5.7A 1.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4804BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4804BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4804BDY-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 负载开关:SI4804BDY-T1-E3 可用作负载开关,控制电路中的电流流动,实现设备的开启或关闭,同时减少功耗。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为功率开关使用,提供高效的电压调节。
   - 电池保护:用于便携式设备(如手机、平板电脑)中的电池保护电路,防止过流、短路或反向充电。

 2. 信号切换
   - 多路复用器/解复用器:通过控制两个独立的 MOSFET 通道,实现信号的切换和路由。
   - 音频信号切换:在音频设备中切换不同的输入源,例如耳机和扬声器之间的切换。

 3. 电机控制
   - 小型电机驱动:适用于低功率电机的启停和速度控制,例如玩具、风扇或其他消费类电子产品中的电机。
   - H 桥电路:在简单的 H 桥设计中,该器件可用于双向电机控制。

 4. 保护电路
   - 过流保护:利用 MOSFET 的低导通电阻特性,检测并限制过大的电流,保护下游电路。
   - 热插拔保护:在服务器、通信设备等场景中,防止因热插拔引起的电流冲击。

 5. 消费电子
   - USB 端口保护:在 USB 充电或数据传输接口中,作为开关元件,防止短路或过载。
   - 背光驱动:用于 LCD 或 OLED 显示屏的背光驱动电路,控制电流以调节亮度。

 6. 工业应用
   - 传感器接口:在工业自动化设备中,用于切换传感器信号或驱动小型执行器。
   - 继电器替代:由于其快速开关特性和低功耗,可替代传统机械继电器。

 特性优势
- 低导通电阻 (Rds(on)):降低功率损耗,提高效率。
- 小尺寸封装 (TSSOP):适合空间受限的设计。
- 高可靠性:适用于需要长时间稳定运行的环境。

综上所述,SI4804BDY-T1-E3 主要应用于消费电子、通信设备、工业控制以及便携式设备等领域,能够满足高效、紧凑和可靠的设计需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOICMOSFET 30V 7.5A 2W

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

5.7 A

Id-连续漏极电流

5.7 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?72061

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4804BDY-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI4804BDY-T1-E3SI4804BDY-T1-E3

Pd-PowerDissipation

1.1 W

Pd-功率耗散

1.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

22 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

22 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

10 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

22 毫欧 @ 7.5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4804BDY-T1-E3DKR

典型关闭延迟时间

19 ns

功率-最大值

1.1W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

22 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

5.7 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.7A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI4804BDY-E3

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