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  • 型号: FDMS9600S
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS9600S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS9600S价格参考¥5.87-¥5.87。Fairchild SemiconductorFDMS9600S封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMS9600S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS9600S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH DUAL 30V POWER56MOSFET 30V PowerTrench

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

12 A

Id-连续漏极电流

12 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS9600SPowerTrench®

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产品型号

FDMS9600S

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

6 ns, 11 ns

下降时间

12 ns, 32 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1705pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.5 毫欧 @ 12A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS9600SDKR

典型关闭延迟时间

42 ns, 54 ns

功率-最大值

1W

包装

Digi-Reel®

单位重量

9 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-MLP,Power56

封装/箱体

MLP-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A,16A

系列

FDMS9600S

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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