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Datasheet下载- 型号： SI3590DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI3590DV-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3590DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3590DV-T1-E3价格参考。VishaySI3590DV-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 2.5A，1.7A 830mW 表面贴装 6-TSOP。您可以下载SI3590DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3590DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI3590DV-T1-E3是一款双N沟道MOSFET阵列，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻（Rds(on)）的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于控制电路中负载的开启和关闭，降低功耗并保护电路。 - DC-DC转换器：作为同步整流器中的功率开关，提高效率并减少能量损耗。 - 电池管理：在便携式设备中，用于电池充放电控制和保护。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供高效的开关性能和低发热。 3. 信号切换 - 在多路复用器或多路选择器中，用于信号路径的切换，确保低插入损耗和高可靠性。 4. 消费电子 - 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备，支持快速充电功能和电源优化。 - 在音频设备中，用于功率放大器的开关或保护电路。 5. 工业应用 - 传感器接口：用于工业自动化设备中的传感器信号切换。 - 继电器替代：以固态开关形式取代机械继电器，提升可靠性和寿命。 6. 通信设备 - 在基站、路由器和其他通信设备中，用于电源分配和信号切换，确保高效运行。 SI3590DV-T1-E3凭借其低导通电阻（最大1.8mΩ）、小封装尺寸（TSSOP6）和高电流处理能力（高达27A），特别适合对空间和效率要求较高的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOPMOSFET N&P-CH 30V (D-S) |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3590DV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3590DV-T1-E3SI3590DV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 830 mW |
| Pd-功率耗散 | 830 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 77 mOhms, 170 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 77 mOhms, 170 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 12 ns, 15 ns |
| 下降时间 | 12 ns, 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 77 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3590DV-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns, 20 ns |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A，1.7A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI3590DV-E3 |
