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Datasheet下载- 型号： SH8M41TB1
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SH8M41TB1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SH8M41TB1由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SH8M41TB1价格参考。ROHM SemiconductorSH8M41TB1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 80V 3.4A，2.6A 2W 表面贴装 8-SOP。您可以下载SH8M41TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SH8M41TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的SH8M41TB1是一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品，其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理：SH8M41TB1适用于各种电源管理方案，例如开关电源、DC-DC转换器和LDO稳压器。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。 2. 负载切换：在需要频繁切换负载的应用中，如USB接口保护、电池管理系统（BMS）以及热插拔控制，SH8M41TB1可以实现快速、可靠的切换操作，同时提供过流保护功能。 3. 电机驱动：该器件适合用于小型电机驱动电路，例如风扇、泵或微型机器人中的电机控制。通过精确调节电流和电压，确保电机运行平稳且高效。 4. 信号传输与隔离：在通信设备或工业自动化领域，SH8M41TB1可用于信号传输路径上的开关控制，帮助实现信号的可靠传递及电气隔离。 5. 消费类电子产品：包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备内部的多种功能模块控制，如显示屏背光调节、音频放大器供电管理等。 6. 汽车电子系统：在车身控制系统（如车窗升降器、座椅调节器）、LED照明驱动以及信息娱乐系统中也有广泛应用。其优异的耐热性和稳定性使其能够在严苛的汽车环境中保持良好性能。 总之，SH8M41TB1凭借其高性能参数和可靠性，在众多需要高效能功率控制和信号处理的应用场合中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8MOSFET Nch+Pch 80V/-80V 3.4A/-2.6A; MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.4 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SH8M41TB1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SH8M41TB1 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | SH8M41TB1DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A，2.6A |
