Datasheet下载- 型号： SI5908DC-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5908DC-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5908DC-T1-GE3价格参考￥5.57-￥7.56。VishaySI5908DC-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5908DC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5908DC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5908DC-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：SI5908DC-T1-GE3 可用于控制负载的通断，实现高效的电源管理。 - 降压/升压转换器：在 DC-DC 转换器中，该器件可作为开关元件，用于调节输出电压。 - 电池保护：用于防止过流、短路或反向电流对电池造成损害。 2. 信号切换 - 在需要高速信号切换的应用中，例如音频信号切换、数据线路切换等，该 MOSFET 阵列可以提供低导通电阻和快速开关速度。 3. 电机驱动 - 适用于小型直流电机的驱动控制，能够通过 PWM（脉宽调制）信号调节电机速度和方向。 4. 便携式设备 - 常见于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中，用于高效管理和分配电源。 5. 通信设备 - 在 USB 端口保护、以太网供电（PoE）以及其他通信接口中，该器件可用于保护电路免受过流和短路的影响。 6. 工业应用 - 固态继电器：替代传统机械继电器，提供更长寿命和更高可靠性。 - 热插拔控制：在服务器、存储设备和其他高可靠性系统中，用于安全地插入或移除模块。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：减少功率损耗，提高效率。 - 小型封装（TSSOP-8）：节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。 - 高开关速度：支持高频操作，满足现代电子设备的需求。 总之，SI5908DC-T1-GE3 是一款性能优异的双通道 MOSFET 阵列，适用于多种需要高效电源管理和信号切换的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5908DC-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5908DC-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.4A |
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