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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFH4251DTRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH4251DTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH4251DTRPBF价格参考。International RectifierIRFH4251DTRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH4251DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH4251DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IRFH4251DTRPBF是一款N沟道MOSFET阵列，属于高性能功率MOSFET产品系列，广泛应用于需要高效、低损耗开关性能的场合。该器件采用1.8mΩ导通电阻和耐压40V的设计，具备优异的导通特性和热稳定性，适用于大电流、高效率的电源管理场景。 典型应用场景包括：直流-直流（DC-DC）转换器，如服务器、笔记本电脑和通信设备中的多相电压调节模块（VRM），用于为CPU、GPU等核心芯片提供稳定高效的供电；电池管理系统（BMS）中的充放电控制与保护电路；电机驱动电路，如无人机、电动工具和小型家电中的H桥或半桥拓扑结构；以及负载开关、热插拔控制器和电源分配系统中，实现快速开关与过流保护。 此外，IRFH4251DTRPBF采用节省空间的PowerPAK SO-8封装，具备良好的散热性能，适合高密度PCB布局，广泛用于便携式电子设备和工业控制模块。其高可靠性与符合RoHS标准的无铅设计，也使其适用于汽车电子辅助系统（如车载信息娱乐电源模块）和电信基础设施电源单元。总之，该MOSFET阵列为高效率、小体积的功率开关应用提供了理想解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFNMOSFET 25V Dual N-Ch 1.10mOhm 44nC 45A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（双），肖特基 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 64 A |
| Id-连续漏极电流 | 64 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH4251DTRPBFFASTIRFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH4251DTRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 31 W, 63 W |
| Pd-功率耗散 | 31 W, 63 W |
| Qg-GateCharge | 15 nC, 66 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC, 66 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 61 ns, 105 ns |
| 下降时间 | 15 ns, 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 35µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1314pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH4251DTRPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns, 35 ns |
| 功率-最大值 | 31W， 63W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | FastIRFet |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5x6 DUAL |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 131 S, 161 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-irfh-power-block/3871 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 64A， 188A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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