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  • 型号: NTJD4001NT1
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD4001NT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD4001NT1价格参考。ON SemiconductorNTJD4001NT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTJD4001NT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJD4001NT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTJD4001NT1 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品。以下是其主要应用场景及特点的简要说明:

 应用场景
1. 电源管理  
   NTJD4001NT1 适用于各种电源管理电路,例如 DC-DC 转换器、电压调节模块 (VRM) 和负载开关。其低导通电阻 (Rds(on)) 特性有助于提高效率并减少功率损耗。

2. 电机控制  
   在小型电机驱动应用中,这款 MOSFET 阵列可用于实现高效的速度和方向控制。它适合用于消费电子设备中的风扇、泵或玩具电机等。

3. 信号切换  
   由于其低电容和快速开关特性,NTJD4001NT1 可用于高速信号切换电路,如 USB 开关、音频信号路由或数据通信接口。

4. 电池保护与管理  
   在便携式设备(如手机、平板电脑或可穿戴设备)中,该器件可以作为电池保护电路的一部分,防止过流、短路或反向电流问题。

5. 负载切换  
   在需要频繁开启/关闭负载的应用中,例如 LED 照明、传感器模块或外围设备供电,这款 MOSFET 阵列提供了可靠的解决方案。

6. 汽车电子  
   虽然具体参数需进一步确认是否符合车规级要求,但类似器件常用于汽车电子中的简单开关功能,如指示灯控制或辅助设备供电。

 技术特点
- 双 N 沟道 MOSFET 阵列:集成两个独立的 MOSFET,节省 PCB 空间并简化设计。
- 低导通电阻:降低功耗,提升系统效率。
- 高静电防护能力 (ESD):增强可靠性,减少因静电损坏的风险。
- 小型封装:采用紧凑型封装(如 DFN),适合对空间敏感的设计。

总之,NTJD4001NT1 凭借其高性能和小尺寸,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及便携式电子产品等领域。在选择具体应用时,需根据实际需求评估其电气参数和环境适应性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CHAN SS DUAL 30V SOT363

产品分类

FET - 阵列

FET功能

标准

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

ON Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

NTJD4001NT1

PCN过时产品

点击此处下载产品Datasheet

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

33pF @ 5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.3nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5 欧姆 @ 10mA,4V

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

其它名称

NTJD4001NT1OS

功率-最大值

272mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

250mA

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