Datasheet下载- 型号： SI3552DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3552DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3552DV-T1-E3价格参考。VishaySI3552DV-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3552DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3552DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3552DV-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，其主要应用场景包括以下领域： 1. 电源管理： 该器件适用于各种电源管理电路，例如 DC-DC 转换器、负载开关和低压降稳压器（LDO）。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功耗并提高效率。 2. 便携式电子设备： 在手机、平板电脑、笔记本电脑和其他电池供电设备中，SI3552DV-T1-E3 可用于高效切换和负载控制，确保长时间续航和稳定性能。 3. 电机驱动与控制： 该 MOSFET 阵列可用于小型电机驱动应用，例如消费类电子产品中的风扇、泵或振动马达。其快速开关特性和低损耗特性使其非常适合这些场景。 4. 信号切换与保护： 在数据通信接口（如 USB、UART 或 SPI）中，这款器件可以用作信号切换开关，同时提供过流保护和短路保护功能。 5. 音频设备： 在音频放大器或耳机驱动器中，SI3552DV-T1-E3 可用作功率输出级的开关元件，实现高保真音质输出。 6. 工业自动化： 在传感器接口、继电器替代以及工业控制系统中，该器件能够承受较高的电流负载，并具备良好的热稳定性。 7. 汽车电子： 尽管其电压范围可能不完全覆盖所有汽车应用，但在某些低电压车载系统（如信息娱乐单元或车内照明）中，它仍可作为关键组件使用。 总结来说，SI3552DV-T1-E3 凭借其紧凑封装（TSOP-6）、低 Rds(on) 和出色的电气性能，在需要高效开关和小尺寸设计的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 6TSOPMOSFET 30V 2.5/1.8A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3552DV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3552DV-T1-E3SI3552DV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.15 W |
| Pd-功率耗散 | 1.15 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 105 mOhms, 175 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 105 mOhms, 175 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns, 12 ns |
| 下降时间 | 5 ns, 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 105 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3552DV-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns, 12 ns |
| 功率-最大值 | 1.15W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI3552DV-E3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
