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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS84V-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS84V-7价格参考。Diodes Inc.BSS84V-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSS84V-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS84V-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS84V-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)阵列类别。该型号的应用场景主要包括以下方面: 1. 开关电路:BSS84V-7 适用于各种需要高速开关的电路设计,例如电源管理模块中的负载开关、继电器替代方案以及信号切换等。 2. ESD 保护:由于其低电容特性,BSS84V-7 可用于电子设备中敏感元件的静电放电(ESD)保护,确保系统稳定性和可靠性。 3. 便携式设备:在手机、平板电脑和其他便携式电子产品中,该 MOSFET 阵列可用于电池充电管理、电压调节和音频路径控制等功能。 4. 数据通信接口:在 USB、HDMI 等高速数据传输接口中,BSS84V-7 能够提供必要的信号隔离与保护功能,同时保持较低的信号失真。 5. 汽车电子:尽管具体耐温范围需查阅数据手册确认,但类似规格的产品常用于车载信息娱乐系统、传感器接口及车身控制系统中的小型化解决方案。 6. 消费类电子产品:包括家用电器、游戏控制器等需要小型高效功率转换或逻辑电平转换的应用场合。 综上所述,BSS84V-7 凭借其优异的性能参数,在众多领域内都有广泛的应用潜力,尤其适合对空间占用要求严格且追求高效率的设计项目。实际应用时应根据产品的详细规格书来选择是否符合特定需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2P-CH 50V 130MA SOT-563MOSFET Dual P-Channel |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-连续漏极电流 | 130 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated BSS84V-7- |
数据手册 | |
产品型号 | BSS84V-7 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 150 mW |
Pd-功率耗散 | 150 mW |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-漏源极击穿电压 | - 50 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 45pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 欧姆 @ 100mA,5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-563 |
其它名称 | BSS84V-7DKR |
典型关闭延迟时间 | 18 ns |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 10000 mOhms at 5 V |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-563-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 50 V |
漏极连续电流 | 130 mA |
漏源极电压(Vdss) | 50V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 130mA |
系列 | BSS84 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |