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  • 型号: BSS84V-7
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSS84V-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS84V-7价格参考。Diodes Inc.BSS84V-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSS84V-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS84V-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BSS84V-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)阵列类别。该型号的应用场景主要包括以下方面:

1. 开关电路:BSS84V-7 适用于各种需要高速开关的电路设计,例如电源管理模块中的负载开关、继电器替代方案以及信号切换等。

2. ESD 保护:由于其低电容特性,BSS84V-7 可用于电子设备中敏感元件的静电放电(ESD)保护,确保系统稳定性和可靠性。

3. 便携式设备:在手机、平板电脑和其他便携式电子产品中,该 MOSFET 阵列可用于电池充电管理、电压调节和音频路径控制等功能。

4. 数据通信接口:在 USB、HDMI 等高速数据传输接口中,BSS84V-7 能够提供必要的信号隔离与保护功能,同时保持较低的信号失真。

5. 汽车电子:尽管具体耐温范围需查阅数据手册确认,但类似规格的产品常用于车载信息娱乐系统、传感器接口及车身控制系统中的小型化解决方案。

6. 消费类电子产品:包括家用电器、游戏控制器等需要小型高效功率转换或逻辑电平转换的应用场合。

综上所述,BSS84V-7 凭借其优异的性能参数,在众多领域内都有广泛的应用潜力,尤其适合对空间占用要求严格且追求高效率的设计项目。实际应用时应根据产品的详细规格书来选择是否符合特定需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2P-CH 50V 130MA SOT-563MOSFET Dual P-Channel

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-连续漏极电流

130 mA

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated BSS84V-7-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

BSS84V-7

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

150 mW

Pd-功率耗散

150 mW

RdsOn-漏源导通电阻

10 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-漏源极击穿电压

- 50 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 15 V

Vgs-栅源极击穿电压

15 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

45pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 欧姆 @ 100mA,5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-563

其它名称

BSS84V-7DKR

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

150mW

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

10000 mOhms at 5 V

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-563-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

50 V

漏极连续电流

130 mA

漏源极电压(Vdss)

50V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

130mA

系列

BSS84

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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