Datasheet下载- 型号： SI1553DL-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1553DL-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1553DL-T1-GE3价格参考。VishaySI1553DL-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1553DL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1553DL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1553DL-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，广泛应用于需要高效、低电压开关的场合。该器件采用小尺寸封装（如TDFN），适合空间受限的设计。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高效率。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中，用于电源控制和电池保护电路。 3. 电机控制：用于小型电机或步进电机的驱动电路中，实现快速开关控制。 4. 负载开关与热插拔控制：用于服务器、通信设备中，控制电源的通断，防止浪涌电流。 5. LED背光与照明控制：用于调节LED亮度或作为开关使用，特别是在需要高频切换的PWM调光应用中。 6. 工业自动化：用于PLC、传感器模块等工业控制系统中，作为高效开关元件。 该MOSFET支持低栅极电压驱动（如2.5V或以上），适用于现代低电压控制器直接驱动，适合高密度和高效率设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 660MA SC70-6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1553DL-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 600mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 385 毫欧 @ 660mA， 4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 其它名称 | SI1553DL-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 270mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 660mA，410mA |
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