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产品简介:
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型号为 MMDF2P02HDR2G 的场效应晶体管(MOSFET)属于 安森美半导体(ON Semiconductor)的 FET阵列产品,是一款 双P沟道增强型MOSFET,常用于需要高效率和小尺寸封装的电源管理应用。 该器件的主要应用场景包括: 1. 负载开关与电源管理:适用于便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源切换控制,实现对不同负载的高效管理。 2. 电池供电系统:用于电池供电设备中的电源控制电路,如移动电源、无线耳机等,有助于降低功耗并提升系统效率。 3. DC-DC转换器:在同步整流型DC-DC转换电路中作为高边或低边开关使用,提升转换效率。 4. 电机驱动与继电器替代:可用于小型电机控制或固态继电器应用,具备快速开关能力,减少机械继电器的磨损问题。 5. 工业控制系统:适用于工业自动化设备中的信号切换和功率控制模块,具备良好的热稳定性和可靠性。 该器件采用 8引脚DFN封装,体积小、导通电阻低、支持高电流能力,适合高密度PCB布局,广泛应用于对空间和效率有要求的电子产品中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH DUAL 3.3A 20V 8SOIC |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MMDF2P02HDR2G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 588pF @ 16V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 160 毫欧 @ 2A,10V |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | MMDF2P02HDR2GOS |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.3A |