Datasheet下载- 型号： ZXMN3A06DN8TA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN3A06DN8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN3A06DN8TA价格参考￥3.48-￥8.12。Diodes Inc.ZXMN3A06DN8TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN3A06DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN3A06DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN3A06DN8TA是Diodes Incorporated推出的一款MOSFET阵列器件，属于N沟道增强型功率MOSFET，采用双芯片封装（双通道），具有低导通电阻和高开关效率的特点。该型号广泛应用于需要高效能、小体积电源管理的电子设备中。 其典型应用场景包括：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和移动电源）中的负载开关与电源切换，用于提高能效并降低功耗；电池供电设备（如蓝牙耳机、可穿戴设备）中的电源管理模块，实现对电流的精确控制和低静态功耗运行；此外，在DC-DC转换器、同步整流电路以及电机驱动电路中也广泛应用，有助于提升系统整体效率和热稳定性。 该器件还适用于热插拔控制器、LED驱动电路及各类小型电源管理系统，得益于其小型化封装（如DFN2020）、快速响应速度和良好的热性能，能够在空间受限且散热条件有限的环境中稳定工作。同时，ZXMN3A06DN8TA具备较高的雪崩耐受能力和静电防护特性，增强了在工业控制、消费类电子等复杂电磁环境下的可靠性。 综上所述，ZXMN3A06DN8TA凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，特别适合用于高密度集成、注重能效与稳定性的现代电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOICMOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN3A06DN8TA |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6.4 ns |
| 下降时间 | 9.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 796pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | ZXMN3A06DN8TR |
| 典型关闭延迟时间 | 21.6 ns |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 35 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 6.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.9A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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