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Datasheet下载- 型号： DMN3018SSD-13
- 制造商： Diodes Inc.
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DMN3018SSD-13产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3018SSD-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3018SSD-13价格参考。Diodes Inc.DMN3018SSD-13封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 6.7A 1.5W 表面贴装 8-SO。您可以下载DMN3018SSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN3018SSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN3018SSD-13是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，广泛应用于需要高效、低电压操作的电子电路中。该器件采用小型SOT26封装，适合空间受限的设计。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关或电池供电设备中的功率控制，因其导通电阻低、效率高，适合便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。 2. 电机驱动：在小型电机或步进电机控制电路中作为开关元件，适用于打印机、扫描仪及自动化设备中的驱动模块。 3. LED背光与照明控制：用于调节显示器背光或LED照明系统的亮度，支持PWM调光方式，实现精确控制。 4. 逻辑电路与信号切换：在数字系统中作为电平转换或信号路由的开关使用，适合通信模块或传感器接口电路。 5. 保护电路：用于过流保护、反向电流阻断等场景，提升系统稳定性与安全性。 综上，DMN3018SSD-13因体积小、性能稳定，适用于消费电子、工业控制及通信设备等多种领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN3018SSD-13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 697pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | DMN3018SSD-13DIDKR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.7A |
