Datasheet下载- 型号： ZXMN6A11DN8TA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN6A11DN8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN6A11DN8TA价格参考￥1.81-￥2.74。Diodes Inc.ZXMN6A11DN8TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN6A11DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN6A11DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN6A11DN8TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - ZXMN6A11DN8TA 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于高效的电源管理电路中，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块（VRM）。它能够减少功率损耗，提高系统的整体效率。 - 在电池供电设备中，这款 MOSFET 可以用于延长电池寿命，同时确保稳定的电流输出。 2. 消费电子 - 适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源切换和保护功能。 - 在音频放大器中，作为信号切换或驱动元件，提供快速的响应速度和低失真性能。 3. 工业控制 - 用于电机驱动电路，支持小型步进电机或直流电机的启动、停止和调速控制。 - 在工业自动化系统中，可以作为固态继电器的替代品，实现高可靠性和长寿命的开关操作。 4. 通信设备 - 在网络路由器、交换机和其他通信设备中，用于数据线的信号切换和保护。 - 支持高速信号传输的同时，提供良好的电磁兼容性（EMC）表现。 5. 汽车电子 - 应用于车载信息娱乐系统、LED 照明控制以及车身控制系统中。 - 其出色的热稳定性和可靠性使其能够在严苛的汽车环境中正常工作。 6. 其他应用 - 用作过流保护、短路保护和反向极性保护的开关元件。 - 在 USB 接口、HDMI 接口等外设连接中，作为信号切换和隔离的组件。 总结来说，ZXMN6A11DN8TA 凭借其紧凑的设计、低导通电阻和优异的电气性能，广泛应用于需要高效功率转换和信号切换的各种场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOICMOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.2 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN6A11DN8TA |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 3.5 ns |
| 下降时间 | 4.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | ZXMN6A11DN8CT |
| 典型关闭延迟时间 | 8.2 ns |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 180 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 3.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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