Datasheet下载- 型号： DMG9933USD-13
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG9933USD-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG9933USD-13价格参考。Diodes Inc.DMG9933USD-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMG9933USD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG9933USD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMG9933USD-13是一款双P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的FET阵列器件。该器件常用于需要高效电源管理和负载切换的应用中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携设备中的电源开关控制，具有低导通电阻，有助于提高能效并减少发热。 2. 负载开关：可用于控制电池供电系统中的负载切换，如智能手机或穿戴设备中控制不同模块的供电。 3. 马达驱动与继电器替代：由于其双P沟道结构，适合用于小型马达、继电器或LED灯串的开关控制。 4. DC-DC转换器：在同步整流型DC-DC转换器中作为高边开关使用，提升转换效率。 5. 热插拔电路：适用于服务器或通信设备中的热插拔电源控制，防止插拔时产生电流冲击。 该器件采用小型SOT-26封装，适合空间受限的设计，具备良好的热稳定性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMG9933USD-13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 608.4pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 4.8A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | DMG9933USD-13DI |
| 功率-最大值 | 1.15W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.6A |
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