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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7329TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7329TR价格参考。International RectifierIRF7329TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7329TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7329TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF7329TR的器件属于晶体管中的MOSFET阵列类别。该器件集成了两个N沟道MOSFET在一个封装中,通常用于需要高效开关和空间节省的应用。 IRF7329TR主要应用于以下场景: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块设计,提供高效率和低导通电阻。 2. 负载开关:在电池供电设备中作为负载开关使用,实现对不同电路模块的高效供电控制。 3. 电机驱动:可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,特别是在汽车电子与工业自动化领域。 4. 汽车电子:如车载充电系统、车身控制模块等,因其具有较高的可靠性和耐压能力。 5. 通信设备:用于电信和网络设备中的功率控制和信号切换。 该器件采用TSSOP封装,适合表面贴装工艺,适用于高密度PCB布局,广泛用于便携式电子产品、工业控制系统和汽车应用中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRF7329TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3450pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 17 毫欧 @ 9.2A,4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.2A |