Datasheet下载- 型号： NTGD3133PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTGD3133PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGD3133PT1G价格参考。ON SemiconductorNTGD3133PT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTGD3133PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTGD3133PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTGD3133PT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双N沟道增强型MOSFET阵列，常用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。该器件采用小型封装，适合空间受限的设计，广泛应用于以下领域： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统，用于提高能效和减小电路尺寸。 2. 电机控制：在小型电机或步进电机驱动电路中作为功率开关，实现精确控制。 3. 负载开关与继电器替代：用于替代机械继电器，在自动控制、工业设备中实现高速、低功耗切换。 4. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块（BCM）、LED照明驱动等，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 5. 便携设备：智能手机、平板电脑、移动电源等产品中的电源管理模块，利用其低导通电阻和小封装优势。 6. 工业自动化：传感器驱动、执行器控制电路中的开关元件，支持高频操作和紧凑设计。 该MOSFET阵列具备低导通电阻、高开关速度和集成保护特性，适合需要高效能与小型化结合的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 21.5A 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTGD3133PT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 145 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 560mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A |
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