Datasheet下载- 型号： NTGD3149CT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTGD3149CT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGD3149CT1G价格参考。ON SemiconductorNTGD3149CT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTGD3149CT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTGD3149CT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTGD3149CT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电子应用领域。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 NTGD3149CT1G 常用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理电路中。其低 Rds(on) 特性能够减少功率损耗，提高效率，适合需要高效能的电源设计。 2. 电机驱动 该器件可应用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 电池管理 在电池保护和管理系统中，NTGD3149CT1G 可用作充放电路径的开关，确保电池的安全运行并防止过流或短路。 4. 信号切换 它适用于信号切换电路，例如音频信号切换、数据信号路由等场景，提供快速且可靠的信号传输。 5. 消费电子产品 广泛用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的负载开关和电源管理模块。 6. 工业自动化 在工业控制领域，可用于继电器替代、传感器接口和信号隔离等场合，提升系统的可靠性和效率。 7. 通信设备 适用于网络交换机、路由器等通信设备中的电源管理和信号处理部分。 总之，NTGD3149CT1G 凭借其高性能参数和紧凑封装，非常适合对空间和功耗有严格要求的应用环境，同时满足工业级和消费级市场的多样化需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET COMPL 20V DUAL 6-TSOPMOSFET COMP TSOP6 20V 3A TR |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTGD3149CT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTGD3149CT1G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 900 mW |
| Pd-功率耗散 | 900 mW |
| Qg-GateCharge | 4.6 nC, 5.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.6 nC, 5.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms at 4.5 V at N Channel, 110 mOhms at 4.5 V at P Channel |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 3.8 nS, 5.3 nS |
| 下降时间 | 2.4 nS, 29.5 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 387pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 典型关闭延迟时间 | 16.4 nS, 33.3 nS |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 60 mOhms at 4.5 V at N Channel, 110 mOhms at 4.5 V at P Channel |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 4.7 S, 5.1 S |
| 汲极/源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | 3.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A，2.4A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |
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