ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > QS8J4TR
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： QS8J4TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
QS8J4TR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供QS8J4TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QS8J4TR价格参考。ROHM SemiconductorQS8J4TR封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 4A 550mW 表面贴装 TSMT8。您可以下载QS8J4TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有QS8J4TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的QS8J4TR是一款MOSFET阵列产品，主要应用于需要高效、低功耗开关控制的电子设备中。该器件采用N沟道增强型MOSFET结构，具有低导通电阻和高可靠性，适用于多种电源管理和信号切换场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关或电池管理系统中，实现高效能的能量传输与分配。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，支持快速响应与精确控制。 3. LED驱动：适用于LED背光或照明系统中的开关控制，提供稳定电流路径。 4. 工业自动化：用于PLC、传感器模块或工业控制设备中的信号切换与功率控制。 5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑等便携设备中，用于电源管理或外设控制。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性，适用于对空间和功耗有要求的应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | QS8J4TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 56 毫欧 @ 4A，10V |
| 供应商器件封装 | TSMT8 |
| 其它名称 | QS8J4CT |
| 功率-最大值 | 550mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A |
