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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD2152PT2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD2152PT2价格参考。ON SemiconductorNTJD2152PT2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTJD2152PT2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJD2152PT2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NTJD2152PT2是一款P沟道MOSFET阵列器件,内部集成两个独立的P沟道MOSFET,采用SOT-563(SC-88)小型封装,适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于需要低功耗、高效率开关控制的场景。 典型应用场景包括:便携式消费类电子产品中的电源管理与负载开关控制,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换或模块电源通断;在电源排序和热插拔电路中用于防止浪涌电流;还可用于信号路由开关、电平转换电路以及小功率DC-DC转换器中的同步整流辅助控制。 NTJD2152PT2具有低导通电阻(RDS(on))、低阈值电压和良好的开关特性,适合3.3V或更低电压系统,能有效提升能效并减少发热。其双通道设计支持独立控制,提高了电路设计的灵活性。此外,该器件具备良好的温度稳定性和可靠性,适用于工业控制、通信模块及嵌入式系统中的低压逻辑控制应用。 由于其小型化封装和高性能表现,NTJD2152PT2特别适合高密度PCB布局,是现代低功耗电子系统中理想的开关元件选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTJD2152PT2 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 8V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 570mA,4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 270mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 775mA |