Datasheet下载- 型号： SI6925ADQ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6925ADQ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6925ADQ-T1-GE3价格参考。VishaySI6925ADQ-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI6925ADQ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI6925ADQ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI6925ADQ-T1-GE3 是一款双N沟道 MOSFET 阵列器件，主要应用于需要高效、紧凑设计的电源管理和负载开关场合。该器件采用小型封装（如TSSOP），适合对空间敏感的设计。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统中，实现高效的功率控制。 2. 电池供电设备：常见于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备中，用于提高能效并延长电池寿命。 3. 电机驱动与继电器替代：在低电压电机控制或固态继电器应用中提供快速开关性能和低导通电阻。 4. 工业控制系统：用于PLC模块、传感器接口及自动化设备中的功率切换。 5. 热插拔电路：支持服务器和通信设备中线路卡的带电插拔，防止电流冲击。 SI6925ADQ-T1-GE3具备低导通电阻、高开关速度和良好热稳定性，适合高频开关应用。同时，其集成双MOSFET结构有助于减少PCB面积和元件数量，提升系统可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOPMOSFET 20V 3.9A 1.13W 45mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.9 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72623 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI6925ADQ-T1-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI6925ADQ-T1-GE3SI6925ADQ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.13 W |
| Pd-功率耗散 | 1.13 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 3.9A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | SI6925ADQ-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 45 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 3.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.3A |
| 系列 | SI6925ADQ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI6925ADQ-GE3 |
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