Datasheet下载- 型号： FDMB3900AN
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMB3900AN由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMB3900AN价格参考。Fairchild SemiconductorFDMB3900AN封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMB3900AN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMB3900AN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 FDMB3900AN 的 MOSFET 阵列属于 安森美半导体（ON Semiconductor）的产品，主要应用于需要高效功率管理的场合。该器件采用双N沟道增强型MOSFET结构，具备低导通电阻、高效率和优良热性能的特点，适用于多种电源管理和负载开关场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中的电源切换与分配。 2. DC-DC转换器：在同步整流电路中作为高效开关元件，提升能量转换效率。 3. 负载开关应用：控制外围设备电源的开启与关闭，如USB电源管理、硬盘驱动控制等。 4. 电机驱动与继电器替代：用于小型电机或电磁负载的高速开关控制，减少机械继电器带来的磨损问题。 5. 电池供电设备：由于其低功耗特性，适合用于电池管理系统（BMS）中实现充放电路径控制。 综上，FDMB3900AN因其集成度高、封装小巧、性能稳定，广泛应用于消费电子、工业控制及便携式设备中的功率控制领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-MLPMOSFET 25V Dual N-Chanenl |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMB3900ANPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMB3900AN |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 890pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | FDMB3900ANDKR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 0.060 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MicroFET-8 3x1.9 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A |
| 系列 | FDMB3900AN |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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