Datasheet下载- 型号： ZXMN10A08DN8TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN10A08DN8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN10A08DN8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN10A08DN8TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN10A08DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN10A08DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN10A08DN8TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。以下是其常见的应用场景： 1. 电源管理 - ZXMN10A08DN8TA 可用于各种电源管理应用中，例如 DC-DC 转换器、负载开关和 LDO（低压差稳压器）。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率并减少功率损耗。 - 在电池供电设备中，该 MOSFET 阵列可用于实现高效的电源切换和电压调节。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。通过控制 MOSFET 的开关状态，可以实现电机的启动、停止、正转和反转等功能。 - 其紧凑的设计使其适合空间受限的应用场景，例如消费电子设备中的风扇或微型泵。 3. 信号切换 - 在需要多路信号切换的系统中，例如音频信号切换、数据通道选择等，ZXMN10A08DN8TA 可以用作高性能的模拟开关。 - 它的低电容和快速开关速度使其非常适合高频信号处理。 4. 保护电路 - 该器件可用于过流保护、短路保护和热关断保护电路中。通过监测电流并通过 MOSFET 切断异常路径，可以有效保护下游电路免受损害。 - 在 USB 端口或其他接口中，可以用作限流保护元件。 5. 消费类电子产品 - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中，作为电源管理单元的一部分。 - 在充电电路中，该 MOSFET 阵列可帮助实现快速充电功能，并确保充电过程的安全性和稳定性。 6. 工业自动化 - 在工业控制系统中，ZXMN10A08DN8TA 可用于传感器信号调理、继电器驱动和信号隔离等任务。 - 其耐用性和可靠性使其能够在恶劣环境下长期运行。 7. 通信设备 - 用于网络交换机、路由器和其他通信设备中的电源分配和信号路由。 - 在这些应用中，其低功耗和高效率特性尤为重要。 总之，ZXMN10A08DN8TA 凭借其出色的电气性能和小型化封装，成为许多现代电子设备中不可或缺的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOICMOSFET 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.1 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN10A08DN8TA |
| Pd-PowerDissipation | 1800 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.2 ns |
| 下降时间 | 2.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 405pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | ZXMN10A08DN8TATR |
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
.jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
