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IRF7907TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7907TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7907TRPBF价格参考¥询价-¥询价。International RectifierIRF7907TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 9.1A,11A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7907TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7907TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7907TRPBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品。以下是其主要应用场景及特点: 1. 电源管理 - IRF7907TRPBF 适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、开关稳压器和负载开关。其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高系统的效率。 - 在电池供电设备中,该器件能够帮助实现高效的电源切换和电压调节。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。通过精确控制电流和电压,IRF7907TRPBF 可以实现平稳的电机启动、停止和调速。 - 其快速开关性能适合高频 PWM(脉宽调制)控制,从而优化电机运行效率。 3. 信号切换 - 在多路复用器或多路信号切换的应用场景下,IRF7907TRPBF 的阵列设计使其能够同时控制多个信号通道,适用于通信设备、数据采集系统等。 - 它具有较低的电容值,有助于减少信号延迟并提升响应速度。 4. 消费类电子产品 - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中的电源管理和保护电路。 - 在 USB 充电器或充电接口中,该器件可用于过流保护和短路保护,确保设备安全运行。 5. 工业自动化 - 在工业控制领域,IRF7907TRPBF 可用于继电器替代方案,实现固态开关功能,提高系统的可靠性和寿命。 - 它也适用于传感器接口电路,用于控制传感器的供电或信号传输。 6. 汽车电子 - 适用于车载电子系统中的负载控制,如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制器等。 - 其抗干扰能力和稳定性使其能够在恶劣的汽车环境中正常工作。 总结 IRF7907TRPBF 凭借其高性能参数(如低 Rds(on)、高开关速度和良好的热稳定性),非常适合需要高效能、小尺寸和低成本解决方案的应用场景。无论是消费类电子产品还是工业自动化领域,它都能提供可靠的性能支持。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
Ciss-输入电容 | 850 pF, 1790 pF |
描述 | MOSFET DUAL N-CH 30V 9.1A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 9.1 A |
Id-连续漏极电流 | 9.1 A, 11 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7907TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7907TRPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2.0 W |
Pd-功率耗散 | 2.0 W |
Qg-GateCharge | 6.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 6.7 nC, 14 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 20.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 17.1 mOhms, 11.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
上升时间 | 9.3 ns, 14 ns |
下降时间 | 3.4 ns, 5.3 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 25µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16.4 毫欧 @ 9.1A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | IRF7907TRPBFCT |
典型关闭延迟时间 | 8 ns, 13 ns |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 20.5 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 19 S, 24 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 9.1 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.1A,11A |
配置 | Dual |