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  • 型号: IRF7907TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF7907TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7907TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7907TRPBF价格参考¥询价-¥询价。International RectifierIRF7907TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 9.1A,11A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7907TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7907TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF7907TRPBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品。以下是其主要应用场景及特点:

 1. 电源管理
   - IRF7907TRPBF 适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、开关稳压器和负载开关。其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高系统的效率。
   - 在电池供电设备中,该器件能够帮助实现高效的电源切换和电压调节。

 2. 电机驱动
   - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。通过精确控制电流和电压,IRF7907TRPBF 可以实现平稳的电机启动、停止和调速。
   - 其快速开关性能适合高频 PWM(脉宽调制)控制,从而优化电机运行效率。

 3. 信号切换
   - 在多路复用器或多路信号切换的应用场景下,IRF7907TRPBF 的阵列设计使其能够同时控制多个信号通道,适用于通信设备、数据采集系统等。
   - 它具有较低的电容值,有助于减少信号延迟并提升响应速度。

 4. 消费类电子产品
   - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中的电源管理和保护电路。
   - 在 USB 充电器或充电接口中,该器件可用于过流保护和短路保护,确保设备安全运行。

 5. 工业自动化
   - 在工业控制领域,IRF7907TRPBF 可用于继电器替代方案,实现固态开关功能,提高系统的可靠性和寿命。
   - 它也适用于传感器接口电路,用于控制传感器的供电或信号传输。

 6. 汽车电子
   - 适用于车载电子系统中的负载控制,如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制器等。
   - 其抗干扰能力和稳定性使其能够在恶劣的汽车环境中正常工作。

 总结
IRF7907TRPBF 凭借其高性能参数(如低 Rds(on)、高开关速度和良好的热稳定性),非常适合需要高效能、小尺寸和低成本解决方案的应用场景。无论是消费类电子产品还是工业自动化领域,它都能提供可靠的性能支持。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

Ciss-输入电容

850 pF, 1790 pF

描述

MOSFET DUAL N-CH 30V 9.1A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

9.1 A

Id-连续漏极电流

9.1 A, 11 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7907TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRF7907TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.0 W

Pd-功率耗散

2.0 W

Qg-GateCharge

6.7 nC

Qg-栅极电荷

6.7 nC, 14 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

20.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

17.1 mOhms, 11.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.8 V

上升时间

9.3 ns, 14 ns

下降时间

3.4 ns, 5.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

850pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16.4 毫欧 @ 9.1A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

IRF7907TRPBFCT

典型关闭延迟时间

8 ns, 13 ns

功率-最大值

2W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

20.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

19 S, 24 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

9.1 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.1A,11A

配置

Dual

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