Datasheet下载- 型号： SI4900DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4900DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4900DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4900DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4900DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4900DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4900DY-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，常用于需要高效、低导通电阻和高频率切换的应用场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源系统。 2. 电机控制：用于小型电机驱动电路，如无人机、机器人和电动工具中的电机控制模块。 3. 负载开关与电源分配：在多路电源管理系统中作为高效开关，实现对不同负载的快速控制。 4. 电池供电设备：如便携式电子产品、移动电源等，用于提高能效并延长电池寿命。 5. 汽车电子：用于车身控制模块、LED照明驱动和车载充电系统等对空间和效率要求较高的场合。 该器件采用小型封装，具备低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，适合空间受限但要求高性能的电路设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4900DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 665pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 58 毫欧 @ 4.3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A |
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