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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STL65DN3LLH5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL65DN3LLH5价格参考。STMicroelectronicsSTL65DN3LLH5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STL65DN3LLH5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL65DN3LLH5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL65DN3LLH5是一款N沟道MOSFET阵列器件,主要应用于需要高效功率开关的场合。该器件采用先进的沟槽栅技术,具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能,适用于汽车电子、工业控制和电源管理等领域。 在汽车应用中,STL65DN3LLH5常用于电机驱动、电动助力转向系统(EPS)、电池管理系统(BMS)以及车载充电器等。其高可靠性和符合AEC-Q100标准的特性使其能够适应严苛的汽车工作环境。 在工业领域,该器件可用于可编程逻辑控制器(PLC)、伺服电机驱动器、智能电表及工业自动化设备中的电源开关部分。此外,在DC-DC转换器、负载开关和高边开关电路中也有广泛应用。 由于其集成双MOSFET结构,有助于减少PCB面积并提高系统效率,因此也适合对空间和能效要求较高的设计。总之,STL65DN3LLH5适用于多种中高功率、需要高可靠性和高性能的电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLATMOSFET Dual N-ch 30 V,19A STripFET V Pwr Mos |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 65 A |
Id-连续漏极电流 | 65 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL65DN3LLH5STripFET™ V |
数据手册 | |
产品型号 | STL65DN3LLH5 |
Pd-PowerDissipation | 60 W |
Pd-功率耗散 | 60 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5.9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 22 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 22 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 9.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerFlat™(5x6) |
其它名称 | 497-10881-2 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF221910?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 60W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
封装/箱体 | PowerFLAT-8 5x6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ST/stl-family.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 65A |
系列 | STL65DN3LLH5 |
配置 | Dual |