| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7379PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7379PBF价格参考。International RectifierIRF7379PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7379PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7379PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRF7379PBF是一款MOSFET阵列器件,常用于需要高效功率管理的场景。该器件集成了多个MOSFET,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。由于其高集成度和优良的导热性能,IRF7379PBF广泛应用于通信设备、服务器、工业自动化设备以及消费类电子产品中,能够有效提高系统效率并减少外围元件数量,适合对空间和效率有较高要求的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOICMOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.8 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7379PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7379PBF |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 16.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 21 ns, 17 ns |
| 下降时间 | 7.7 ns, 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 5.8A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns, 25 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.8A,4.3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |