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Datasheet下载- 型号： CSD87352Q5D
- 制造商： Texas Instruments
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CSD87352Q5D产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD87352Q5D由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD87352Q5D价格参考。Texas InstrumentsCSD87352Q5D封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 25A 8.5W 表面贴装 8-LSON（5x6）。您可以下载CSD87352Q5D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD87352Q5D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD87352Q5D 是由德州仪器（Texas Instruments）生产的一款高性能 MOSFET 阵列，属于 NexFET™ 系列。它专为高效率、低功耗的应用场景设计，主要适用于以下领域： 1. 电源管理 CSD87352Q5D 适合用于 DC-DC 转换器中的功率级开关，能够显著提高转换效率并降低功耗。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其成为高效电源管理的理想选择，广泛应用于笔记本电脑、平板电脑和服务器的电源管理系统。 2. 电机驱动 在无刷直流电机（BLDC）和其他小型电机驱动应用中，该器件可作为功率开关，提供高效的电流控制，同时减少发热和能量损耗。 3. 负载切换 它可用于负载切换电路中，以实现快速、可靠的负载通断控制，例如在 USB 充电端口保护、热插拔保护等场景中。 4. 电池管理 在电池管理系统（BMS）中，CSD87352Q5D 可用作电池保护开关或均衡电路的一部分，确保电池充放电过程的安全性和稳定性。 5. 通信设备 该器件适用于通信基础设施中的功率分配和信号调节，例如基站、路由器和交换机中的电源模块。 6. 消费电子 在便携式设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中，CSD87352Q5D 的紧凑封装和高效性能使其成为理想的选择，用于优化设备的电池寿命和散热表现。 总结来说，CSD87352Q5D 凭借其低 Rds(on)、高开关速度和紧凑封装，非常适合需要高效功率转换和低功耗的各类应用场景，特别是在计算、通信和消费电子领域中发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SONMOSFET 30V Sync Buck NexFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD87352Q5DNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD87352Q5D |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 8.5 W |
| Pd-功率耗散 | 8.5 W |
| Qg-GateCharge | 12.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.1 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 2.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.15V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON（5x6） |
| 其它名称 | 296-29161-2 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD87352Q5D |
| 功率-最大值 | 8.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-LDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | LSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 87 S / 51 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A |
| 系列 | CSD87352Q5D |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 配置 | Dual |
